TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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68.548En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 2 Channel 30 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 106 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A
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32.274En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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97.463En existencias
4.000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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35.745En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 10.8 A 132 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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8.821En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 2 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 415 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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21.826En existencias
12.000Se espera el 16-02-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 4.4 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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8.726En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 7.7 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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29.336En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 12 V 12 A 11 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 80 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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88.628En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
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12.288En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 44 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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11.037En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 52 mOhms, 52 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET
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2.198En existencias
5.050Se espera el 19-02-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77.4 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46.9 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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10.229En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
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10.793En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.9 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
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18.198En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 50 A 3.5 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 300 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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8.148En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 117 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8S
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7.264En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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20.910En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7 A 82.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.3 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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2.728En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220
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1.214En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 126 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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10.545En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 36 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 285 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
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10.946En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 40A 100W
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5.550En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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497En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
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1.043En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube