TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 177
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8.798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A
Hoja de datos
8.556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8.749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
14.513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
Hoja de datos
3.490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 8.4 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
10.621En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.8 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2.268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
3.920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
3.365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
1.822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
10.073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56.7 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34.5 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
Hoja de datos
4.472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40.7 A 14.9 mOhms 10.6 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
7.026En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 37.1 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
11.684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66.8 A 7.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
7.156En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK - SO-8S P-Channel 1 Channel 30 V 227 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 365 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
3.625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S N-Channel 1 Channel 30 V 478 A 570 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
10.458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 54 A 8.9 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
8.888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 34.4 A 14 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 27.2 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
12.383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.5 V 46.7 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
12.843En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 55.9 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
11.360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66.4 A 7.45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.6 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
Hoja de datos
207.004En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.5 A 22.7 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
15.971En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.95 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 390 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
18.662En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 265 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel