TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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102.985En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220
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3.007En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 63 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220
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1.290En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 P-CH 30V 4.3A
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26.184En existencias
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Si SMD/SMT SC-75-6 1 Channel 30 V 4.3 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
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9.728En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60-V D-S
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8.988En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 110 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 4A
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23.586En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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49.450En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 23 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement LITTLE FOOT, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76
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7.812En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.1 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 183 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 N-CH 30V 4.5A
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28.232En existencias
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Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 57 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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6.000En existencias
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Si SMD/SMT SC-75-6 P-Channel 1 Channel 12 V 9 A 21 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 33 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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7.293En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 38.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 38 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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8.882En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
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335En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220
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663En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 230 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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640En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V (D-S)
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2.355En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 21.4 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 31.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V
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5.870En existencias
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 940 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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5.950En existencias
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Si SMD/SMT Powerpack-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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5.778En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN
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8.378En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 55.9 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
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4.852En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S P-Channel 1 Channel 40 V 198 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 392 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
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4.929En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S P-Channel 1 Channel 60 V 36.2 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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88.628En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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8.741En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk