TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 168
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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49.490En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 23 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement LITTLE FOOT, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76
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7.255En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.1 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 183 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 N-CH 30V 4.5A
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28.019En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 57 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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91.687En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220
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2.953En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 63 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220
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1.226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 P-CH 30V 4.3A
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26.164En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-75-6 1 Channel 30 V 4.3 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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8.741En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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7.750En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 40 A 3 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 225 nC - 50 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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13.181En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 92 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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17.212En existencias
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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2.520En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
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18.562En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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8.882En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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37.105En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 61 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A
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3.870En existencias
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
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8.783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A
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Comentarios de Producto
106.982En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
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55.942En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SC70-6 P-Channel 1 Channel 12 V 12 A 11 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 83 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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15.241En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 12.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
Hoja de datos
5.894En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-75-6 P-Channel 1 Channel 12 V 9 A 21 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 33 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 P-CH 20V 10.3A
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5.311En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 12.5 A 9.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 112 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
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8.940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 1.9 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.9 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET
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8.749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220
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613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 230 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube