Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

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$1.431

$883

$582

$457

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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1.000Se espera el 31-12-2026

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$4.335

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BSC109N10NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

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$2.290

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$810

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Infineon Technologies
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BSC252N10NSF G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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327En existencias

5.000Se espera el 07-01-2027

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$2.004

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$825

$654

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Infineon Technologies
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BSC340N08NS3 G

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726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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26.480En existencias

Cinta cortada

$1.626

$1.004

$662

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$348

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
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712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

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726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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712En existencias

Cinta cortada

$2.219

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$916

$727

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Envase tipo carrete

$550

MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.975
4.337En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$2.975

$1.912

$1.299

$1.104

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Envase tipo carrete

$879

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TDSON-8

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OptiMOS

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BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

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916En existencias

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$1.452

$896

$590

$464

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Envase tipo carrete

$300

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SMD/SMT

TSDSON-8

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80 V

23 A

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32 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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9.905En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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9.905En pedido

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$2.914

$1.871

$1.268

$1.074

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$861

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TDSON-8

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150 V

33 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
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596Se espera el 18-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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596Se espera el 18-02-2027

Cinta cortada

$2.853

$1.840

$1.268

$1.033

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$895

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

80 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
5.000: $984
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC190N15NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$984

Min.: 5.000
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

150 V

50 A

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2 V

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- 55 C

+ 150 C

125 W

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OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
5.000: $567
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$567

Min.: 5.000
Mult.: 5.000

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
5.000: $649
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Envase tipo carrete

$649

Min.: 5.000
Mult.: 5.000

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.3 mOhms
7.2 mOhms
10.3 mOhms
10.8 mOhms
10.9 mOhms
11.8 mOhms
14 mOhms
16 mOhms
19.5 mOhms
20 mOhms
27 mOhms
27.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms