TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA220N04T2 TRL
Hoja de datos
800Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA76N15T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA100N04T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA110N055T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA200N055T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA230N075T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY90N055T2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel