Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
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SOT-223-3
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Si
SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
27 En existencias
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TO-247-3
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Si
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TO-220FP-3
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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650 V
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPP90R1K2C3XKSA2
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP90R1K2C3XKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
5.1 A
1.2 Ohms
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+ 150 C
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