TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

Resultados: 64
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 4.8V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 106A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 5.8 mOhms 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 110A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 106 A 6.3 mOhms 20 V 3.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 7.5V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 114 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 72A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 72 A 10 mOhms 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 72A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 72 A 10 mOhms 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 54A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 54 A 13 mOhms 20 V 2.2 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 50A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 17 mOhms 20 V 3.6 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 50A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 17 mOhms 20 V 2.2 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 33A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 2 Channel 80 V 33 A 21 mOhms 20 V 2.2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 23 mOhms 20 V 3.6 V 6.6 nC - 55 C + 175 C 49 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 34 A 24 mOhms 20 V 2.2 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 25V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel