Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 1012 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-SI3493DDV-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI3493DDV-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

Hoja de datos:

SI3493DDV-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay / Siliconix SI3493DDV-T1-GE3

En existencias: 45.084

Existencias:: 45.084 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 7 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.012	$1.012
	$697	$6.970
	$442	$44.200
	$273	$136.500
	$261	$261.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$196	$588.000
	$155	$930.000
	$136	$1.224.000
	$127	$3.048.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	52.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.6 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	40 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	115 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	20 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SI3493DDV-T1-GE3 Hoja de datos

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET delivers low on-resistance of 0.05Ω (maximum) at -1.8V_GS. This power MOSFET is available in a single-configuration TSOP-6 package size. Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications, including load switches, battery switches, PA switches, and battery management in mobile devices.