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NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 1320 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFD5C672NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFD5C672NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

Hoja de datos:

NTMFD5C672NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$830	$8.300
	$549	$54.900
	$429	$214.500
	$370	$370.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$340	$510.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	49 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	12.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

NTMFD5C672NLT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs including high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(on), low QG and capacitance, 60V drain to source voltage, 146A pulsed drain current, and -55°C to 175°C operating junction temperature range. The NTMFD5C672NL dual N-channel power MOSFET is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include motor control, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), synchronous DC to DC regulator, and battery management and protection.