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NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 8527 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTSC1D5N08MC

Fabricante N.º:

NTMTSC1D5N08MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Hoja de datos:

NTMTSC1D5N08MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$8.527	$8.527
	$6.830	$68.300
	$5.521	$552.100
	$4.908	$2.454.000
	$4.335	$4.335.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$4.335	$13.005.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	287 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.56 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	101 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	219 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NTMTSC1D5N08MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	69 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns

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NTMTSC1D5N08MC Hoja de datos

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMTSC1D5N08MC Power MOSFET

onsemi NTMTSC1D5N08MC Power MOSFET is a single N-channel Dual COOL^®MOSFET with a small footprint (8mm x 8mm) for compact designs. This MOSFET offers 80V drain to source voltage and 287A drain current. The NTMTSC1D5N08MC MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET is suitable for power tools, battery-operated vacuums, UAVs/drones, material handling, BMS/storage, and home automation.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.