Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
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BSZ065N03LSATMA1
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IQDH35N03LM5CGATMA1
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IQE006NE2LM5SCATMA1
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WHSON-8

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1 Channel

25 V

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- 16 V, 16 V

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BSC0504NSIATMA1
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BSC0504NSIATMA1

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BSC0901NSATMA1
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BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

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SMD/SMT

TDSON-8

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30 V

100 A

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+ 150 C

69 W

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OptiMOS

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BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.184
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BSZ019N03LSATMA1

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726-BSZ019N03LSATMA1

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

30 V

149 A

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- 20 V, 20 V

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44 nC

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+ 150 C

69 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.142
13.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

$1.142

$734

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Envase tipo carrete

$323

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.221
29.880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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$638

$492

$385

Envase tipo carrete

$278

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.237
5.133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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$3.237

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$1.254

Envase tipo carrete

$1.007

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

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