Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
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BSZ009NE2LS5ATMA1
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$997

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Reel, Cut Tape

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
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IQE008N03LM5CGATMA1
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SMD/SMT

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1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

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BSZ065N03LSATMA1
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BSZ065N03LSATMA1

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OptiMOS

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BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ019N03LSATMA1

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726-BSZ019N03LSATMA1

Infineon Technologies

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$1.176

$807

$726

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$613

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TSDSON-8

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1 Channel

30 V

149 A

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OptiMOS

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BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.096
10.000En pedido

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BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$2.096

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$931

$750

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Envase tipo carrete

$644

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TDSON-8

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30 V

230 A

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+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.258
12.480Se espera el 23-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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12.480Se espera el 23-07-2026

Cinta cortada

$1.258

$817

$577

$465

$396

Envase tipo carrete

$340

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: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.380
11.972En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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11.972En pedido

Cinta cortada

$1.380

$722

$558

$449

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Envase tipo carrete

$327

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE012N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.720
5.000Se espera el 07-05-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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5.000Se espera el 07-05-2026

Cinta cortada

$2.720

$1.738

$1.207

$1.022

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$813

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.914
6.000Se espera el 21-05-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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Hoja de datos

6.000Se espera el 21-05-2026

Cinta cortada

$2.914

$1.861

$1.268

$1.053

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Envase tipo carrete

$918

Min.: 1
Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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