Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 17

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.247 2.082En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.082En existencias	Cinta cortada $3.247 $1.606 $1.447 $1.162 Ver Envase tipo carrete $1.013 $1.116 $1.096 $1.013	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.905 3.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.984En existencias	Cinta cortada $2.905 $1.424 $1.276 $1.019 Ver Envase tipo carrete $793 $991 $962 $793	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.224 8.499En existencias 9.600Se espera el 30-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	8.499En existencias 9.600Se espera el 30-11-2026	Cinta cortada $3.224 $2.085 $1.435 $1.151 Envase tipo carrete $1.151 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.367 18.555En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0504NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0504NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	18.555En existencias	Cinta cortada $1.367 $636 $564 $436 Envase tipo carrete $322 Ver $428 $383 $311 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.2 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.279 6.779En existencias 10.000Se espera el 27-11-2026	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6.779En existencias 10.000Se espera el 27-11-2026	Cinta cortada $2.279 $1.087 $887 $714 Ver Envase tipo carrete $582 $679 $620 $582 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.629 13.190En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	13.190En existencias	Cinta cortada $1.629 $767 $681 $532 Ver Envase tipo carrete $399 $523 $500 $399 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.147 3.913En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.913En existencias	Cinta cortada $4.147 $2.085 $1.891 $1.538 Ver Envase tipo carrete $1.435 $1.527 $1.470 $1.435	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.589 220En existencias 10.000Se espera el 24-06-2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	220En existencias 10.000Se espera el 24-06-2027	Cinta cortada $3.589 $2.130 $1.606 $1.333 $1.299 Envase tipo carrete $1.173	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	960 uOhms	16 V	2 V	92 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $1.242 4.070En existencias 5.000Se espera el 08-04-2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	4.070En existencias 5.000Se espera el 08-04-2027	Cinta cortada $1.242 $595 $523 $420 Envase tipo carrete $320 Ver $407 $395 $314 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.598 59.350En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	59.350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9.350 Se espera el 07-01-2027 25.000 Se espera el 28-01-2027 25.000 Se espera el 05-08-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.598 $1.276 $1.114 $895 Ver Envase tipo carrete $713 $818 $764 $713 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.461 29.503En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ019N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	29.503En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ019N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9.503 Se espera el 06-05-2027 20.000 Se espera el 30-09-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.461 $1.356 $1.068 $865 Ver Envase tipo carrete $696 $823 $758 $696 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	149 A	2 mOhms	20 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.298 9.928En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH29NE2LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH29NE2LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9.928En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH29NE2LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4.928 Se espera el 14-10-2027 5.000 Se espera el 28-10-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $5.298 $2.746 $2.472 $2.153 Ver Envase tipo carrete $1.971 $2.142 $2.119 $1.971	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	789 A	290 uOhms	16 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.639 19.834Se espera el 02-09-2027	N.º de artículo del Fabricante IQDH35N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH35N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19.834Se espera el 02-09-2027	Cinta cortada $5.639 $2.951 $2.666 $2.301 Ver Envase tipo carrete $2.039 $2.279 $2.267 $2.039 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	700 A	350 uOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies 1: $3.691 4.997Se espera el 19-08-2027	N.º de artículo del Fabricante BSG0812NDATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSG0812NDATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.997Se espera el 19-08-2027	Cinta cortada $3.691 $2.119 $1.663 $1.379 $1.344 Envase tipo carrete $1.219	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	25 V	50 A	900 mOhms, 3.5 mOhms	16 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	6.25 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies 1: $1.834 39.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ0506NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0506NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	39.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ0506NSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 19.000 Se espera el 22-04-2027 20.000 Se espera el 02-09-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.834 $787 $659 $535 Ver Envase tipo carrete $404 $515 $513 $404 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.4 mOhms	20 V	2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.398 5.841Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.841Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $4.398 $2.244 $2.005 $1.675 $1.652 Envase tipo carrete $1.458 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.532 6.000Se espera el 28-01-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6.000Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $3.532 $1.789 $1.572 $1.276 Ver Envase tipo carrete $946 $1.219 $1.196 $946	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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