Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
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Si
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2.304 En existencias
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Si
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Infineon Technologies
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6.478 En existencias
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Si
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Si
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TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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Si
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AEC-Q101
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86 En existencias
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1.000 Se espera el 19-08-2026
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Si
SMD/SMT
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IPD22N08S2L-50
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
1.279 En existencias
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IPD30N08S222ATMA1
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1:
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
1.146 En existencias
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1
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Comprar
Min.: 1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
1:
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2.148 En existencias
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726-IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
2.148 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.072
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$623
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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1 Channel
80 V
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
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$2.408
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5.000 Se espera el 04-03-2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S4L12ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
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DPAK-3 (TO-252-3)
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30 A
31 mOhms
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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100 V
70 A
11.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
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2.8 V
7 nC
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HSOG-8
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165 A
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- 20 V, 20 V
2.2 V
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
IAUT165N08S5N029ATMA2
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726-IAUT165N08S5N029
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Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
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80 V
165 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel