Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.720
613En existencias

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IPB180N10S402ATMA1

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726-IPB180N10S402ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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$6.720

$4.648

$3.360

$3.349

Envase tipo carrete

$2.722

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: $5.723
1.263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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Cinta cortada

$5.723

$4.301

$3.091

Envase tipo carrete

$2.733

$2.464

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.803
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IPD60N10S412ATMA1

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726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Cinta cortada

$1.803

$1.310

$937

$780

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$635

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.069
2.614En existencias

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IPD90N10S406ATMA1

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726-IPD90N10S406ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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$3.069

$1.994

$1.422

$1.176

$1.165

Envase tipo carrete

$954

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.744
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NRND

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IPB35N10S3L26ATMA1

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726-IPB35N10S3L26ATM

NRND

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$1.445

$1.232

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$1.098

$1.021

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
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725En existencias
NRND

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IPB70N10S3-12

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726-IPB70N10S312

NRND

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$2.733

$2.139

$1.792

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$1.534

$1.456

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

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- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
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NRND

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IPD35N10S3L-26

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726-IPD35N10S3L26

NRND

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$748

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

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1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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IPD35N10S3L26ATMA1

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726-IPD35N10S3L26ATM

NRND

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$895

$831

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

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+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

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IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
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NRND

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IPD70N10S3-12

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726-IPD70N10S312

NRND

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.483
6.575En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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$3.483

$2.274

$1.579

$1.277

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$1.176

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.485
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N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012ATMA1

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726-IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

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$6.485

$4.894

$3.965

$3.517

$3.013

Envase tipo carrete

$3.013

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.928
1.133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$4.928

$3.282

$2.318

$2.240

$2.173

Envase tipo carrete

$1.736

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.779
675En existencias
1.900Se espera el 02-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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675En existencias

1.900Se espera el 02-04-2026

Cinta cortada

$5.779

$3.830

$3.046

$2.699

$2.318

Envase tipo carrete

$2.184

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

260 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: $5.410
1.294En existencias
4.000Se espera el 23-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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1.294En existencias

4.000Se espera el 23-02-2026

Cinta cortada

$5.410

$4.323

$3.494

$3.114

$2.666

Envase tipo carrete

$2.666

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.712
3.522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3.522En existencias

Cinta cortada

$5.712

$3.797

$3.069

$2.733

$2.341

Envase tipo carrete

$2.341

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.419
5.254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

5.254En existencias

Cinta cortada

$2.419

$1.490

$1.082

$905

Ver

Envase tipo carrete

$731

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
1: $8.725
1.007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7769L2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1.007En existencias

Cinta cortada

$8.725

$7.638

$6.731

$6.182

Envase tipo carrete

$5.488

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

DirectFET-L8

N-Channel

1 Channel

100 V

124 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.218
2.087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L34ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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2.087En existencias

Cinta cortada

$2.218

$1.422

$954

$758

Envase tipo carrete

$606

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.398
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

428En existencias

Cinta cortada

$5.398

$3.584

$2.554

$2.397

Envase tipo carrete

$1.949

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
1: $2.341
1.294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD22N08S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPD22N08S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

22 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
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IPD50N08S4-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

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IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60N10S4L12ATMA1

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon Technologies
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IPD30N10S3L34ATMA1

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726-IPD30N10S3L34ATM

NRND

Infineon Technologies

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

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57 W

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IPG20N10S4L22AATMA1
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IPG20N10S4L22AATMA1

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TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5N040ATMA1
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IAUC100N10S5N040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W