Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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19.128En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 600
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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24.692En existencias
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Máx.: 260
: 3.000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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7.495En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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3.580En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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4.900En existencias
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Min.: 1
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: 3.000


Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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8.892En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
Hoja de datos
18.892En existencias
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Min.: 1
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: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
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4.015En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 120
: 2.500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
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17.993En existencias
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Máx.: 160
: 2.500
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K
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338En existencias
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: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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92.672En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1.030
: 2.500

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
10.415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
6.184En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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3.921En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
5.203En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 3.000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
6.779En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
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38.745En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1.310
: 5.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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17.963En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 880
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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81.937En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 690
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA
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9.384En existencias
6.000Se espera el 12-03-2027
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Máx.: 420
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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4.166En existencias
5.000Se espera el 12-02-2027
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: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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154.905En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 6.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
Hoja de datos
14.215En existencias
24.000Se espera el 21-01-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
Hoja de datos
10.759En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
Hoja de datos
72.030En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.840
: 3.000