650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 2.862En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 1.715En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ITO-220AB-F-3
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1.441En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-2
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1.495En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2.930En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252AA-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 790En existencias
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Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 733En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 980En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 990En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.970En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.950En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1.500En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1.500En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 103En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 6.000En existencias
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Carrete: 6.000

MOSFETs Si TO-252AA-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.917En existencias
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MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2.000En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 800
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

MOSFETs Si