SIHx5N80AE Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs feature a low figure-of-merit, low effective capacitance, and reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs provide an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies. Additionally, the SIHx5N80AE MOSFETs utilize an ultra-low gate charge and integrated Zener diode ESD protection.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 3A E SERIES
Hoja de datos
1.815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, + 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V
Hoja de datos
2.899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, + 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK 800V 4.4A E SERIES
Hoja de datos
3.014En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, + 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube