2000V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 0.6A to 3A. They are specifically designed to address high blocking voltage and high voltage packages.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
Hoja de datos
986En existencias
850Se espera el 06-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
Hoja de datos
65En existencias
300Se espera el 22-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Hoja de datos
300Se espera el 19-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube