SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

Resultados: 199
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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6.481En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 100 V 33.6 A 32.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
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19.458En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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19.283En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
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2.770En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 32 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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2.717En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 52 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 73 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified
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6.102En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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13.417En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
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3.490En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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8.808En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 30 A, 18 A 12 mOhms, 52.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 2.5 V 30 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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13.504En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
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8.065En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 60 V 8 A 67 mOhms, 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4
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1.647En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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5.149En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)
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1.291En existencias
3.000Se espera el 23-02-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
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852En existencias
3.000Se espera el 16-02-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 17.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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2.540En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23.5 A 28 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 18.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE
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2.850En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
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1.843En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 12 V 238 A 4 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2.854En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 114 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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523En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 60 V 54 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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5En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 164 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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2.057En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2.530En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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2.046En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 5.8 mOhms, 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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478En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel