SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

Resultados: 199
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 26.632En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 191 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified 2.535En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S) 32.210En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 88 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 5.989En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified 21.516En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 380En existencias
3.000Se espera el 25-02-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified 2.773En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 20 V 20 A, 60 A 7.4 mOhms, 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC, 43 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified 2.451En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 12 V 60 A 4.8 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified 2.744En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified 2.984En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 38 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2.940En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified 2.250En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 12 V 20 A, 60 A 5.2 mOhms, 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC, 54 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L 2.890En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 12 V 20 A, 60 A 3 mOhms, 8.3 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 20 nC, 50 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2.611En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 22.3 mOhms, 22.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified 1.774En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A, 45 A 18 mOhms, 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19.7 nC, 33.8 nC - 55 C + 175 C 17 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1.707En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4 1.422En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S) 1.891En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 17.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 4.316En existencias
21.000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 40 V 232 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 219 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2.675En existencias
Min.: 1
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Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 2.915En existencias
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Si SMD/SMT SO-8L N-Channel 1 Channel 30 V 202 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 58 nC - 55 C + 175 C 130 W
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 2.749En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8L Dual BWL N-Channel 2 Channel 60 V 62 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 86 W
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 2.930En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8L N-Channel 1 Channel 30 V 206 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 74 nC - 55 C + 175 C 130 W
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L 1.916En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-5 P-Channel 1 Channel 200 V 9.4 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 2.037En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 395 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape