π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 23
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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8.000En existencias
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Min.: 1
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
Hoja de datos
22.460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
Hoja de datos
473.681En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 200 mA, 400 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
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10.168En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
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8.998En existencias
18.000Se espera el 26-06-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
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26.467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
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7.289En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
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616En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
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4.864En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
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25.112En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
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2.490En existencias
6.000Se espera el 21-09-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
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3.802En existencias
140.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
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1.593En existencias
6.000Se espera el 02-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
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29.228En existencias
6.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
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1.008En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V
Hoja de datos
4.700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
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15.591En existencias
20.000Se espera el 09-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
Hoja de datos
59.086En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
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23.963Se espera el 17-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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Comentarios de Producto
8.000Se espera el 11-09-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
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5.973Se espera el 14-09-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms - 20 V, 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape