Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

106 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

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- 55 C

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446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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36 A

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- 10 V, 10 V

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171 W

Enhancement

Tube

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N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

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+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
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CoolMOS

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CoolMOS

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

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15 A

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77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB65R041CFD7ATMA1
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MouseReel Disponible

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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

700 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB65R090CFD7ATMA1
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$2.658

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SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.558
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IPZA65R029CFD7XKSA1

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726-IPZA65R029CFD7XK

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$13.558

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$8.190

$7.658

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+ 150 C

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Enhancement

Tube

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IPP65R060CFD7XKSA1
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IPP65R060CFD7XKSA1

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726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

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$5.337

$4.315

$3.834

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

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4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.405
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

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136En existencias

$13.405

$8.323

$7.270

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

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4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.347
228En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS

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228En existencias

240En pedido

$10.347

$6.135

$5.194

$5.041

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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IPZA65R035CFD7AXKSA1

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726-IPZA65R035CFD7AX

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

$13.446

$8.241

$7.198

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

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+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.045
Plazo de entrega 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W65R090CFD7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega 17 Semanas

$7.045

$4.683

$3.783

$3.364

$2.986

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Tube

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