CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tipos de Transistores
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1.158En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
2.346En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
Hoja de datos
1.080En existencias
750Se espera el 18-03-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
484En existencias
750Se espera el 16-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1.478En existencias
750Se espera el 09-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1.780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Hoja de datos
27En existencias
2.250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Hoja de datos
158En existencias
750Se espera el 28-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Hoja de datos
465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
805En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Hoja de datos
899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
998En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1.899En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
131En existencias
240Se espera el 08-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
214En existencias
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Hoja de datos
2.000Se espera el 17-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel