Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
1: $10.270
874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS0D5N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS0D5N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

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874En existencias

Cinta cortada

$10.270

$7.224

$6.070

$6.059

$6.048

Envase tipo carrete

$4.962

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

198.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: $4.525
10.243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Cinta cortada

$4.525

$2.856

$2.285

$2.150

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Envase tipo carrete

$1.826

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: $4.021
1.497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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1.497En existencias

Cinta cortada

$4.021

$2.710

$2.083

$2.016

$1.826

Envase tipo carrete

$1.635

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ1
onsemi
1: $24.987
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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67En existencias

$24.987

$24.976

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ2
onsemi
1: $25.323
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ2

onsemi

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144En existencias

$25.323

$24.931

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: $3.338
8.807En existencias

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NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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$3.338

$2.789

$2.195

$2.016

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Envase tipo carrete

$1.702

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS2
onsemi
1: $31.898
48En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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48En existencias

$31.898

$28.426

$27.854

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS4D0N15MC
onsemi
1: $13.194
162En existencias
2.000Se espera el 10-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

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162En existencias

2.000Se espera el 10-07-2026

Cinta cortada

$13.194

$10.237

$8.534

$7.605

$6.653

Envase tipo carrete

$6.205

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: $4.592
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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749En existencias

Cinta cortada

$4.592

$3.158

$2.274

$2.162

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Envase tipo carrete

$1.758

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS1
onsemi
72: $29.120
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

$29.120

Min.: 72
Mult.: 72

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

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