Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: $4.806
1.070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

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Hoja de datos

1.070En existencias

Cinta cortada

$4.806

$3.190

$2.260

$2.086

Envase tipo carrete

$1.892

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: $4.448
3.717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

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3.717En existencias

Cinta cortada

$4.448

$2.710

$2.004

$1.769

Envase tipo carrete

$1.564

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.448
5.599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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5.599En existencias

Cinta cortada

$4.448

$2.934

$2.065

$1.963

Envase tipo carrete

$1.708

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: $5.061
1.103En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

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1.103En existencias

Cinta cortada

$5.061

$3.487

$2.720

$2.628

Envase tipo carrete

$2.372

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.521
428En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

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Hoja de datos

428En existencias

800En pedido

Cinta cortada

$5.521

$3.528

$2.372

$2.311

Envase tipo carrete

$2.117

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.691
916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

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Hoja de datos

916En existencias

Cinta cortada

$3.691

$2.413

$1.687

$1.513

Envase tipo carrete

$1.319

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1: $4.397
641En existencias
1.000Se espera el 12-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3036PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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Hoja de datos

641En existencias

1.000Se espera el 12-11-2026

$4.397

$2.904

$2.055

$1.820

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Tube

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