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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 2.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
Hoja de datos
163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH
Hoja de datos
2.833Se espera el 16-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
Hoja de datos
26En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3.0 A
Hoja de datos
820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 41 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
Hoja de datos
1.114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
Hoja de datos
74En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
Plazo de entrega 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH
Hoja de datos
Plazo de entrega 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 17 nC 45 W SuperMESH Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube