LFPAK P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia LFPAK P-Channel Trench MOSFETs are designed and qualified to AEC-Q101 standards for use in high-performance automotive applications. These MOSFETs feature high thermal power dissipation capability. The P-channel MOSFETs are available in an LFPAK56 (Power SO8) surface-mount device (SMD) plastic package. These Nexperia MOSFETs are suitable for thermally demanding environments due to the 175°C rating. Typical applications include reverse battery protection, power management, high-side load switch, and motor drive.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 40V 39A
Hoja de datos
12.598En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 39 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 60V 30A
Hoja de datos
3.416En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 30V 80A
Hoja de datos
2.473En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 40V 64A
Hoja de datos
267En existencias
9.000Se espera el 22-06-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.7 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 30V 45A
Hoja de datos
1.475En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 60V 25A
Hoja de datos
910En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, P-channel Trench MOSFET
Hoja de datos
2.335En existencias
3.000Se espera el 22-06-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 25A
Hoja de datos
863En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel