MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel