N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
2.199En existencias
10.000Se espera el 13-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
2.030En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Hoja de datos
497En existencias
5.000Se espera el 27-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
14.766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.469En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Hoja de datos
6.553En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape