Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTTFS1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D8N02P1E
Price: 3181 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTTFS1D8N02P1E

Fabricante N.º:

NTTFS1D8N02P1E

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

Hoja de datos:

NTTFS1D8N02P1E Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTTFS1D8N02P1E

En existencias: 501

Existencias:: 501 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.181	$3.181
	$2.078	$20.780
	$1.448	$144.800
	$1.231	$615.500
	$1.182	$1.182.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.152	$3.456.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	17.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	46 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS1D8N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	122,136 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTTFS1D8N02P1E Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFS1D8N02P1E N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS1D8N02P1E N-Channel Power MOSFET features a compact design and good thermal performance. This MOSFET offers low drain-to-source resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses and low total gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET provides 25V drain-to-source voltage (V_(BR)DSS) and 150A maximum drain current (I_D). Typical applications include DC-DC converters, power load switches, notebook battery management, motor control, secondary rectification, battery management, and Point of Load (POL).