U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
Hoja de datos
212.890En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch
Hoja de datos
17.024En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
Hoja de datos
156.773En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 17.6 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
Hoja de datos
173.010En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
Hoja de datos
15.125En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
Hoja de datos
18.770En existencias
24.000Se espera el 02-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
Hoja de datos
5.989En existencias
10.000Se espera el 03-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A
Hoja de datos
10.860En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1 A 370 mOhms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
Hoja de datos
970En existencias
24.000Se espera el 11-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 10 A 40.1 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
Hoja de datos
3.865En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
Hoja de datos
1.230En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:+/-10V Id:-0.7A
Hoja de datos
19.921Se espera el 06-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 20 V 700 mA 500 mOhms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel