Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

NTTFS4D9N04XMTAG
onsemi
1: $1.199
23En existencias
1.500Se espera el 07-08-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4D9N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4D9N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

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23En existencias

1.500Se espera el 07-08-2026

Cinta cortada

$1.199

$739

$465

Envase tipo carrete

$465

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

4.9 mOhms

20 V

3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS3D5N08XT1G
onsemi
1: $3.197
52En existencias
1.500Se espera el 13-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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52En existencias

1.500Se espera el 13-10-2026

Cinta cortada

$3.197

$2.072

$1.409

$1.125

$1.008

Envase tipo carrete

$1.008

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS4D5N08XT1G
onsemi
1: $2.703
176En existencias
3.000Se espera el 07-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS4D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS4D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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176En existencias

3.000Se espera el 07-08-2026

Cinta cortada

$2.703

$1.735

$1.188

$977

$806

Envase tipo carrete

$806

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.587
109En existencias
13.500En pedido
Nuevo producto

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NVMFWS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS1D3N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

$2.587

$1.662

$1.136

$958

$849

Envase tipo carrete

$849

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.350

: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS2D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.335
64En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

$2.335

$1.483

$999

$810

$726

Envase tipo carrete

$678

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.2 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NVMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $5.279
85En existencias
13.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Cinta cortada

$5.279

$3.450

$2.577

Envase tipo carrete

$2.577

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 440

: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS008N08LHTWG
onsemi
1: $3.323
3.000Se espera el 17-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS008N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS008N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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3.000Se espera el 17-08-2026

Cinta cortada

$3.323

$2.145

$1.472

$1.188

$1.104

Envase tipo carrete

$1.073

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

59 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

NTTFSSCH0D7N02X
onsemi
1: $3.187
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSSCH0D7N02X

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSSCH0D7N02X

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

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Cinta cortada

$3.187

$2.051

Envase tipo carrete

$2.051

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80

: 5.000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

310 A

580 uOhms

- 12 V, 16 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

87 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS3D0N08XT1G
onsemi
1: $3.407
13.601En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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Cinta cortada

$3.407

$2.209

$1.525

$1.273

$1.178

Envase tipo carrete

$1.115

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Single N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14 A
22 A
30 A
42 A
59 A
65 A
66 A
71 A
77 A
79 A
92 A
94 A
119 A
121 A
132 A
135 A
140 A
150 A
156 A
178 A

570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
1.05 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.49 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.35 mOhms
2.55 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.7 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms

4 nC
6 nC
10.4 nC
10.6 nC
12 nC
15.7 nC
17 nC
19 nC
20.3 nC
22.2 nC
24 nC
25 nC
28 nC
32 nC
33 nC
34 nC
35.4 nC
36 nC
38 nC
38.6 nC

23 W
33 W
38 W
42 W
50 W
53 W
63 W
68 W
73 W
82 W
83 W
84 W
87 W
89 W
90 W
104 W
107 W
113 W
119 W
133 W