Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Resultados: 34
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
1.303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
2.313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF
Hoja de datos
1.441En existencias
3.000Se espera el 03-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 28 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2.595En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 132 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
Hoja de datos
156En existencias
10.000Se espera el 17-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
2En existencias
1.500Se espera el 10-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
3.000Se espera el 11-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
2.800Se espera el 20-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 71 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel