R6049YN N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R6049YN N-Channel Power MOSFETs offer high-speed switching and low-on resistances for switching applications. Operating in a -55°C to +150°C temperature range, these single-channel enhancement mode devices feature a 600V drain-source breakdown voltage, a ±22A or ±49A continuous drain current, and a 65nC total gate charge. The ROHM R6049YN N-Channel Power MOSFETs are available in TO-220AB-3, TO-220FM-3, and TO-247G-3 package options.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
1.253En existencias
1.000Se espera el 14-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
1.964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube