Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 674.700En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4.317En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.682En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 5.900En existencias
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Carrete: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 81.416En existencias
51.000Se espera el 02-03-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 67.064En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 47.737En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 21.328En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 40.855En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 53.988En existencias
6.000Se espera el 13-02-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 27.770En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 7.347En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 829En existencias
6.000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 80En existencias
9.000Se espera el 13-02-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current 30.729En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q 14.496En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8.407En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5.790En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 9.771En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5.106En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 291En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 100En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6.000
Mult.: 6.000
Carrete: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2