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iS20M6R3S1P

Name: iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M6R3S1P
Price: 7536 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

25-IS20M6R3S1P

Fabricante N.º:

iS20M6R3S1P

Fabricante:

iDEAL Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

Ciclo de vida:

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	$3.722	$372.200
	$3.139	$1.569.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	iDEAL Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	172 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	428 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	iDEAL Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tiempo de caída:	7.1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	47 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	48.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22.4 ns

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iS20M6R3S1P Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS20M6R3S1P power MOSFET offers low switching losses, switching charge (Q_SW), and capacitive stored energy (E_OSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. Typical applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.