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DI280N10TL

Name: Diotec Semiconductor DI280N10TL
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI280N10TL
Price: 7190 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI280N10TL

Fabricante N.º:

DI280N10TL

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N

Hoja de datos:

DI280N10TL Hoja de datos (PDF)

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	$5.622	$56.220
	$3.371	$337.100
	$3.338	$1.669.000
	$3.237	$3.237.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.856	$5.712.000
	$2.688	$10.752.000
10.000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	280 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	122 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	425 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	75 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	33 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	N-CHANNEL

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI280N10TL N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI280N10TL N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a compact, space-saving HSOF-8 package. It comes with a 280A continuous drain current (I_D) and 375W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 1.6mΩ typical (V_GS=10V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI280N10TL is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, and power tool applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.