U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

Resultados: 65
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
Hoja de datos
9.970En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 79 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
Hoja de datos
10.420En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 72 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
21.305En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
Hoja de datos
5.719En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 280 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 81 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
27.364En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
40.703En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 41 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
Hoja de datos
4.465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 45 V 139 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 39 nC + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
6.328En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
32.745En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 27 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
1.688En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
Hoja de datos
541En existencias
250Se espera el 15-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 82 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
Hoja de datos
250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 168 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
252En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
Hoja de datos
250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Hoja de datos
299En existencias
6.350En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 106 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
171En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 10.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
143En existencias
300Se espera el 15-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ
Hoja de datos
262En existencias
2.500Se espera el 15-06-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 79 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
Hoja de datos
1.744En existencias
1.750Se espera el 15-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 28.3 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube