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NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 2708 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-TMFS003P03P8ZT1G

Fabricante N.º:

NTMFS003P03P8ZT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 3MO

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NTMFS003P03P8ZT1G Hoja de datos

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	$1.211	$121.100
	$969	$484.500
	$915	$915.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$915	$1.372.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	234 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	277 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	139 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	380 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	116 ns
Serie:	NTMFS003P03P8Z
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	325 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns

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Hoja de datos

NTMFS003P03P8ZT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS003P03P8Z P-Channel MOSFET

onsemi NTMFS003P03P8Z P-Channel MOSFET is a single, -30V MOSFET available in 5mm x 6mm for space saving and excellent thermal conduction. This P-channel MOSFET features 1.8mΩ ultra-low R_DS(on) to improve system efficiency and -234A drain current. The NTMFS003P03P8Z P-channel MOSFET operates at -55°C to150°C junction and storage temperature range. This MOSFET is a Pb-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant device. The NTMFS003P03P8Z MOSFET is suitable for power load switch, reverse current protection, over-voltage protection, and reverse negative voltage protection, and battery management.