4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R(DS)ON) multiplied by gate charge (Qg). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at VGS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co(er) and Co(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

Resultados: 22
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL
Hoja de datos
2.594En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
936En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.647En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.478En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES
Hoja de datos
5.404En existencias
2.000Se espera el 16-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET
Hoja de datos
488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.000Se espera el 28-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.000Existencias disponibles
Más información disponible
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement