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NTTFS1D2N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D2N02P1E
Price: 2954 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFS1D2N02P1E

Fabricante N.º:

NTTFS1D2N02P1E

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1.2 MOHM PC33

Hoja de datos:

NTTFS1D2N02P1E Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.954	$2.954
	$1.920	$19.200
	$1.329	$132.900
	$1.103	$551.500
	$1.004	$1.004.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.004	$3.012.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	224 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	NTTFS1D2N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	38.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24.6 ns
Peso de la unidad:	122,136 mg

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NTTFS1D2N02P1E Hoja de datos

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET

onsemi NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET is a 1mW, 180A, and 25V N-Channel power MOSFET that offers benefits such as minimized conduction losses and driver losses. onsemi NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET comes with low R_DS(on),low Q_G, and capacitance. This N-channel power MOSFET is compact in design with a small footprint of an advanced power 3.3mm × 3.3mm package technology and offers excellent thermal performance. Typical applications include DC-DC converters, power load switches, and secondary rectification.