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NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 2419 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFS012N10MDTAG

Fabricante N.º:

NTTFS012N10MDTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Hoja de datos:

NTTFS012N10MDTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.419	$2.419
	$1.602	$16.020
	$1.083	$108.300
	$864	$432.000
	$820	$820.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$744	$1.116.000
	$679	$2.037.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS012N10MD
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTTFS012N10MDTAG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench^® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance R_DS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses, low Q_RR, soft recovery body diode, and low Q_OSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.