Resultados: 141
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet 1.444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 14 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp 6.485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ 17A STripFET II Power MOSFET 2.402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 5 Amp 3.939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 700 mOhms - 5 V, 5 V 1 V 5 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 60 Amp 448En existencias
2.500Se espera el 27-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 60 A 14 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 56 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.015ohms 60A 1.423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 2.836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 14 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II 2.589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V, 195mOhms, 14A STripFET II Power MOSFET 1.109En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep 3.140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp 7.467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI 609En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp 734En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 782En existencias
1.000Se espera el 17-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp 1.639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 313En existencias
1.000Se espera el 12-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 38 Amp 1.002En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 65 C + 175 C 80 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp 1.995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp 2.009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 55 A 18 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 75 V .0095 80A STripFet 2 811En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1.016En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube