STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Resultados: 113
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i
Hoja de datos
856En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Hoja de datos
1.490Se espera el 04-01-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
Hoja de datos
1.000Se espera el 06-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel