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SQS660CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS660CENW-T1_GE3
Price: 1310 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQS660CENW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQS660CENW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQS660CENW-T1_GE3 Hoja de datos

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.310	$1.310
	$823	$8.230
	$546	$54.600
	$426	$213.000
	$387	$387.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$338	$1.014.000
	$321	$1.926.000
	$314	$2.826.000
	$306	$7.344.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8W
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	17.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	26 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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Models

R-C Thermal Model Parameters

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET

Vishay / Siliconix SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET^® power MOSFET. The SQS660CENW is specified at 18A I_D and 60V V_DS. The single configuration device is offered in a PowerPAK^® 1212-8W package with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C.