Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch 25.395En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT DFN-0604-3 N-Channel 1 Channel 20 V 150 mA 2 Ohms - 10 V, 10 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET 972En existencias
40.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 180 mA 2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
15.530Se espera el 06-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 300 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel