Automotive MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics Automotive MDmesh™ V Power MOSFET is the industry’s first 650V AEC-Q101 automotive-qualified MOSFETs in the popular TO-247 package. The 650V rating provides a greater safety margin when exposed to high-voltage spikes, enhancing the reliability of automotive power and control modules. This device offers extremely low on-resistance (RDS(on)) as low as 0.032Ω, combined with the compact TO-247 outline, enhances system energy efficiency and power density. Gate charge (Qg) and input capacitance are also low, resulting in an outstanding Qg x RDS(on) figure of merit (FOM) with high switching performance and efficiency.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
Hoja de datos
23En existencias
267En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 24 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 203 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement AEC-Q100 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
Hoja de datos
1.200Se espera el 09-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 710 V 46 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 142 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube