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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level 30.379En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 15.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series 22.882En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET 17.675En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.6 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET 12.191En existencias
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Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET 858En existencias
3.819Se espera el 23-02-2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 33.5 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET 918En existencias
2.500Se espera el 27-03-2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.9 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET 55En existencias
4.500Se espera el 23-02-2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 5.7 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET 1.708En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 19 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement QFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET 54En existencias
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Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7.2 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement QFET Tube