Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.546
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IPB80N06S407ATMA2

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726-IPB80N06S407ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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$2.546

$1.626

$1.125

$923

Envase tipo carrete

$806

$759

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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2

IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.446
489En existencias
1.000Se espera el 30-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N06S4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N06S4L04ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2

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489En existencias

1.000Se espera el 30-06-2026

Cinta cortada

$3.446

$2.239

$1.554

$1.258

Envase tipo carrete

$1.155

$1.145

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

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1.7 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

SP000919330
Infineon Technologies
1: $348
8.196En existencias

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SP000919330

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726-SP000919330

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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$348

$240

$152

$94,1

Envase tipo carrete

$61,3

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.546
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IRFS4615TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4615TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

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Cinta cortada

$2.546

$1.636

$1.125

$1.043

Envase tipo carrete

$781

$780

MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

34.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

26 nC

- 55 C

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144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.119
3.839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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$3.119

$2.024

$1.288

$1.125

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Envase tipo carrete

$1.000

MouseReel Disponible

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: 5.000

SMD/SMT

TSON-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $327
9.042En existencias
10.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138WH6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6433XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

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Cinta cortada

$327

$199

$125

$92

Envase tipo carrete

$51,1

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10.000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $389
2.200En existencias
144.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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2.200En existencias

144.000En pedido

Cinta cortada

$389

$244

$172

$117

$108

Envase tipo carrete

$76,7

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3.000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.033
5.868En existencias
5.000Se espera el 18-03-2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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5.868En existencias

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$1.033

$643

$462

$323

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$263

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.699
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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700En existencias

$2.699

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$1.196

$1.012

$806

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: $2.781
635En existencias
1.000Se espera el 11-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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635En existencias

1.000Se espera el 11-06-2026

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$2.781

$1.789

$1.278

$1.084

Envase tipo carrete

$927

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.454
29En existencias
1.600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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29En existencias

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$2.454

$1.564

$1.114

$779

Envase tipo carrete

$779

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: $5.654
608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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608En existencias

$5.654

$3.691

$2.883

$2.413

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

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+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB5615PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $2.127
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB5615PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB5615PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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745En existencias

$2.127

$1.033

$907

$726

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Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

150 V

35 A

39 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $297
377.345En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138NH6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Cinta cortada

$297

$182

$113

$83,8

Envase tipo carrete

$60,3

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

IPB64N25S3-20
Infineon Technologies
1: $7.433
3.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB64N25S3-20

N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S3-20

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

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3.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$7.433

$5.542

$4.489

$3.988

Envase tipo carrete

$3.528

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.732
3.729En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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3.729En pedido

Cinta cortada

$3.732

$2.444

$1.718

$1.513

Envase tipo carrete

$1.503

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.851
4.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4.000En pedido

$1.851

$881

$786

$620

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB600N25N3 G
Infineon Technologies
1: $3.701
2.978En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB600N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB600N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

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2.978En pedido

Cinta cortada

$3.701

$2.413

$1.892

$1.595

Envase tipo carrete

$1.370

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

25 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.759
4.750Se espera el 09-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4.750Se espera el 09-07-2026

Cinta cortada

$1.759

$1.114

$745

$553

Envase tipo carrete

$467

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1: $3.957
550Se espera el 01-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

550Se espera el 01-06-2026

Cinta cortada

$3.957

$2.587

$2.024

$1.759

Envase tipo carrete

$1.483

$1.472

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.119
723Se espera el 24-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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723Se espera el 24-12-2026

Cinta cortada

$3.119

$2.014

$1.421

$1.155

Envase tipo carrete

$1.043

$1.033

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

10.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.507
485En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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$3.507

$2.280

$1.585

$1.319

Envase tipo carrete

$1.155

$1.145

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1: $440
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS205NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS205NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

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Cinta cortada

$440

$323

$183

$124

Envase tipo carrete

$82,8

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

40 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.485
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R420CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R420CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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$2.485

$1.217

$1.094

$876

$835

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31.5 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC64N08S5L075ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.035
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC64N08S5L075ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC64N08S5L075A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

$2.035

$1.319

$949

$799

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$639

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W