NVMFS5830NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5830NLWFT1G-UM
NVMFS5830NLWFT1G-UM

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1.050

Existencias:
1.050 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.119 $3.119
$2.014 $20.140
$1.442 $144.200
$1.207 $603.500
$1.114 $1.114.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.043 $1.564.500

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
2.3 mOhms
20 V
2.4 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: MY
País de difusión: TW
País de origen: MY
Tiempo de caída: 27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 38 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 32 ns
Serie: NVMFS5830NL
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99