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NTMFSC006N12MC

Name: onsemi NTMFSC006N12MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC006N12MC
Price: 3200 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFSC006N12MC

Fabricante N.º:

NTMFSC006N12MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Hoja de datos:

NTMFSC006N12MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.200	$3.200
	$2.088	$20.880
	$1.448	$144.800
	$1.241	$620.500
	$1.182	$1.182.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.152	$3.456.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	92 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	48 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	5.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.3 ns
Serie:	NTMFSC006N12MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15.2 ns

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Hoja de datos

NTMFSC006N12MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSC006N Dual Cool N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFSC006N Dual Cool™ N-Channel Power MOSFET offers the power Trench^® process in a dual-sided cooled packaging. This power MOSFET features ultra-low R_DS(ON), 120V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, 1459A pulsed drain current, and 150°C maximum operating junction/storage temperature. The NTMFSC006N Dual Cool™ N-channel power MOSFET is 100% UIL tested and RoHS-compliant. Typical applications include AC-DC merchant power supply, primary DC-DC FET, synchronous rectifier, and DC-DC conversion.