Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
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2.409En existencias

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STD80N340K6

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511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Cinta cortada

$4.714

$3.108

$2.198

$1.881

$1.871

Envase tipo carrete

$1.748

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: $7.689
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Nuevo producto

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511-STF80N240K6

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$7.689

$5.041

$3.701

$3.292

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: $2.628
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Nuevo producto

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STF80N1K1K6

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511-STF80N1K1K6

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$2.628

$1.288

$1.145

$923

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STF80N600K6
STMicroelectronics
1: $3.517
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511-STF80N600K6

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$3.517

$1.759

$1.626

$1.350

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
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810En existencias

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STD80N450K6

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511-STD80N450K6

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$4.519

$2.975

$2.096

$1.779

Envase tipo carrete

$1.646

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STP80N1K1K6
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STP80N1K1K6

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511-STP80N1K1K6

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$2.607

$1.677

$1.145

$915

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Tube

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STP80N450K6
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STP80N450K6

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511-STP80N450K6

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$2.597

$2.352

$1.943

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N600K6
STMicroelectronics
1: $3.446
828En existencias

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STP80N600K6

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511-STP80N600K6

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$1.748

$1.605

$1.309

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

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STD80N240K6
STMicroelectronics
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22En existencias
2.500Se espera el 04-06-2027

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STD80N240K6

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511-STD80N240K6

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$4.059

$2.914

$2.648

Envase tipo carrete

$2.464

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Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

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STP80N240K6
STMicroelectronics
1: $6.861
58En existencias
1.000Se espera el 26-03-2027

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STP80N240K6

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511-STP80N240K6

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1.000Se espera el 26-03-2027

$6.861

$3.650

$3.333

$2.791

$2.750

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

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MDmesh

Tube

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STP80N340K6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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STP80N340K6

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511-STP80N340K6

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$2.004

$1.984

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TO-220-3

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N900K6
STMicroelectronics
1: $2.352
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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STP80N900K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N900K6

STMicroelectronics

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$2.352

$1.697

$1.319

$1.196

$931

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Mult.: 1.000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

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